隨著太陽能多晶、單晶硅片線切割市場的沒落，國內綠碳化硅微粉切割市場極度萎縮。但在半導體線切割，尤其是單晶硅的內圓切割領域，由于碳化硅切割線的液體切割比金剛石切割線的固體切割更能保護被切割晶圓的表面的平滑度，因此綠碳化硅微粉在半導體產業始終有著一席之地。不過由于半導體線切割碳化硅微粉對材料性能的要求與傳統磨料有較多不同，因此在質量上也提出了更高的要求。
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由于國內在半導體線切割用碳化硅微粉的生產起步較晚，國內的半導體廠商一開始都是進口發達國家知名廠家的產品，如德國ESK、日本FUJIMI等。因此，國內一些碳化硅微粉廠家大多采用歐洲標準(FEPA)、日本標準(JlS)和美國標準(ANSI)。
不過，由于國內的半導體線切割碳化硅微粉大部分出口日本，因此在國內采用范圍較廣的是日本標準。國內外標準最大的差別在于，國外采用的粒度指標增加了D0(最大粒徑)，國內標準則沒有，國內標準現階段還主要停留在普通磨料、磨具標準方面。
最大粒徑顆粒對普通磨料、磨具最終產品沒有很大影響,但對半導體線切割用微粉的作用很明顯。從下表采用了D0的國外標準可以看出：對于半導體線切割用微粉的粒度，其顯著特點是粒度分布非常集中。
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化學成分對碳化硅微粉的結晶形態、使用效果等都會有影響?；瘜W成分越高，其綜合性能越好。
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作為半導體的線切割微粉，顆粒形狀對樣品加工效果會產生顯著影響。一般來講,與用于磨削過程中的研磨作用機理不同,用于半導體線切割的碳化硅微粉要求具有一定圓度值，并且顆粒要棱角分明。
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堆積密度是碳化硅微粉的另一個重要指標。當微粉粒徑處于微米級，其表面積、表面能和表面結合能迅速增大。而影響微粉堆積密度的主要因素，正是比表面積、表面能、表面結合能和顆粒間相互作用力。
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由于芯片對表面的清潔度要求很高，如果芯片表面被雜質污染，可能使產品報廢。切割或拋光芯片時，很容易把雜質帶入，因此對半導體線切割微粉的表面清潔度要求較高。
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一般生產微粉工藝采用的是酸洗工藝。在整個過程中，如果水洗不夠徹底，就會在微粉顆粒表面會留下酸殘留和雜質，這些殘留物在微粉階段可能不明顯，但若做成產品，就會表現出性能差異，從而影響產品品質。
半導體線切割碳化硅微粉除以上固定指標外，還有流動性、親水性等指標，都需要逐步完善?，F國內廠家與國外知名碳化硅廠家還有很大的差距，我們要奮力直追。
市場前景
綜合國際和國內市場，國外半導體市場相對成熟，國內市場則處于剛起步階段。但現階段國家大力發展半導體行業，并將12寸單晶片的開發列入國家規劃，行業專家綜合預估，在未來5年內，國內市場的發展必然帶動碳化硅線切割微粉市場進入下一個小高潮。
這些都將是碳化硅微粉制造廠家所面臨的機遇，我們需要加強科研力量，做好技術沉積，形成技術優勢；加強國內、國際同行交流，加強與半導體生產廠家的聯系，占得技術與市場先機，迎風破浪，奮力向前！
